中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术未来十年复合增速将超 20%
发布时间:2023-06-29 12:48:45 文章来源:中国证券网
在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程


(资料图片)

在浙江瑞安召开的 2023 国际新能源智能网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军表示,以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括 Si-IGBT 与 SiC 二极管相结合的技术)已经开始获得应用,并具有很大的性能及市场潜力,将在未来十年获得高达年复合 20% 以上的快速增长 ... 丁荣军指出,在电动汽车的应用驱动、性价比权衡、消费惯性等因素影响下,未来十年 Si-IGBT 仍将是功率半导体器件的主流,并将与碳化硅功率器件长期并存 ... 丁荣军预测,随着硅基材料逐渐逼近其物理极限,功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和材料稳定性等方向发展,功率器件技术演进将助力新能源汽车向高性能、充电快、长续航等方向发展。

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